Untersuchungen diffusionsinduzierter Defekte in GaP und GaSb mittels Transmissionselektronenmikroskopie Rutilius Taurus Aemilianus 6Bedeutung des Marketing7

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Untersuchungen diffusionsinduzierter Defekte in GaP und GaSb mittels Transmissionselektronenmikroskopie Rutilius Taurus Aemilianus 6Bedeutung des Marketing7Inhaltsangabe: Einleitung: Die Verbindungshalbleiter GaP und GaSb finden wegen ihrer elektronischen Eigenschaften insbesondere Anwendung in der Opto und Mikroelektronik. Um zu einem besseren Verstndnis der zugrundeliegenden Mechanismen bei Zn Diffusion in GaP und GaSb zu gelangen, haben wir Diffusionsexperimente durchgefhrt. Die Diffusionsglhungen wurden an versetzungsfreien, intrinsischen GaP(001) und GaSb(001) Wafern in Quarzglasampullen unter